توانائی کی منتقلی کے تناظر میں ڈایڈڈ ٹکنالوجی میں کیا کامیابیاں ہیں؟

1 ، مواد انقلاب: وسیع بینڈ گیپ سیمیکمڈکٹرز کارکردگی کی منتقلی پر کام کرتے ہیں
روایتی سلیکن - پر مبنی ڈائیڈس ان کی مادی جسمانی خصوصیات کے ذریعہ محدود ہیں ، جس کی وجہ سے ہائی وولٹیج ، اعلی تعدد اور اعلی درجہ حرارت کے منظرناموں میں کارکردگی اور وشوسنییتا کو توڑنا مشکل ہوجاتا ہے۔ سلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) اور گیلیم نائٹریڈ (جی اے این) کے ذریعہ نمائندگی کرنے والے وسیع بینڈ گیپ سیمیکمڈکٹر مواد اپنے منفرد جسمانی فوائد کے ساتھ ڈایڈڈ ٹکنالوجی کے زمین کی تزئین کو نئی شکل دے رہے ہیں۔

سلیکن کاربائڈ ڈایڈس کی خرابی والے فیلڈ کی طاقت 2.2MV/سینٹی میٹر تک پہنچ جاتی ہے ، جو سلیکن سے 9 گنا زیادہ ہے۔ تھرمل چالکتا میں 2 بار سے زیادہ کا اضافہ ہوا ہے ، اور آپریٹنگ درجہ حرارت کی اوپری حد 200 ڈگری سے زیادہ ہے۔ فوٹو وولٹائک انورٹرز میں ، عمودی طور پر ساختہ ایس آئی سی پن ڈایڈس 200A/سینٹی میٹر سے زیادہ موجودہ کثافت کو حاصل کرتا ہے اور ریورس وصولی کے اوقات کو گہری خندق اینچنگ اور ایپیٹیکسیل نمو کی تکنیک کے ذریعے 50 نانو سیکنڈ تک کم کردیا گیا ہے ، جو سلیکن - پر مبنی ڈیوائسز سے 80 ٪ کم ہے۔ مثال کے طور پر سنک پاور کے 1500V فوٹو وولٹک نظام کو لینے سے ، ایس آئی سی ڈایڈس کے استعمال سے نظام کے نقصانات کو 40 ٪ کم کیا جاتا ہے ، بجلی کی کثافت میں 35 ٪ اضافہ ہوتا ہے ، اور سنگل واٹ کے اخراجات میں 0.02 یوآن تک کمی واقع ہوتی ہے۔

گیلیم نائٹرائڈ ڈایڈس ان کی اعلی الیکٹران کی نقل و حرکت کی وجہ سے RF فیلڈ میں شاندار کارکردگی کا مظاہرہ کرتے ہیں۔ ملی میٹر ویو فرنٹ - 5 جی بیس اسٹیشنوں کے اختتام نے 24GHz - 52GHz فریکوئینسی بینڈ میں سگنل کی اصلاح کو حاصل کرنے کے لئے GAN Schottky Diodes کو اپنایا ، جس سے سلیکن ڈیوائسز کے مقابلے میں 30 ٪ تک بجلی کی کھپت کو کم کیا جاتا ہے اور بڑے - پیمانے کی تعیناتی کی حمایت کی جاتی ہے۔ نئی توانائی کی گاڑیوں کے میدان میں ، GAN SIC ہائبرڈ حل نے لیبارٹری میں 200 کلو ہرٹز ہائی - فریکوئینسی پروٹو ٹائپ ٹیسٹنگ مکمل کی ہے ، جس کی کارکردگی 99.2 ٪ سے زیادہ ہے۔ اگر تجارتی بنایا گیا ہے تو ، یہ آن بورڈ چارجرز کے حجم میں 50 ٪ کمی کو فروغ دے گا۔

2 ، ساختی جدت: تین جہتی عمودی اور نانوسکل انضمام
نئے توانائی کے نظاموں میں بجلی کی کثافت کے حتمی حصول کا سامنا ، ڈایڈڈ ڈھانچے دو - جہتی سے تین - جہتی تک تیار ہورہے ہیں۔ عمودی ڈھانچہ موجودہ راستے کو بہتر بناتا ہے ، پس منظر کی ترسیل کو طول بلد ٹرانسمیشن میں تبدیل کرتا ہے ، جس سے آلہ کی کارکردگی میں نمایاں بہتری آتی ہے۔ مثال کے طور پر ، عمودی ایس آئی سی پن ڈایڈس الٹرا - ہائی وولٹیج براہ راست موجودہ ٹرانسمیشن میں ہزاروں وولٹ ریورس وولٹیج کا مقابلہ کرسکتا ہے ، جس سے کنورٹر اسٹیشن کے اجزاء کی تعداد میں 60 ٪ اور سسٹم کے نقصانات کو 15 ٪ تک کم کیا جاسکتا ہے۔

نانوسکل عمل کی انضمام ٹکنالوجی منیٹورائزیشن اور انضمام کی طرف ڈائیڈس کی ترقی کو فروغ دیتی ہے۔ 7nm کے عمل کے تحت ، ڈایڈس ٹرانجسٹرس ، کیپسیٹرز اور دیگر آلات کے ساتھ متضاد انداز میں مربوط ہوتے ہیں ، جس سے جدید پیکیجنگ ٹیکنالوجیز جیسے کاووس اور انفارمیشن کے ذریعہ تین - جہتی اسٹیکڈ ڈھانچے کی تشکیل ہوتی ہے۔ اسمارٹ فونز کے پاور مینجمنٹ چپ میں ، نانوسکل ڈایڈس کے ساتھ مربوط پاور ماڈیول ملی سیکنڈ فاسٹ چارجنگ اور متحرک بجلی کی کھپت ایڈجسٹمنٹ حاصل کرتا ہے ، اور چارجنگ کی کارکردگی کو 98 فیصد سے زیادہ تک بہتر بنایا گیا ہے۔

3 ، فنکشن توسیع: سنگل ڈیوائس سے سسٹم حل تک
ڈایڈڈ ٹکنالوجی کی پیشرفت نہ صرف کارکردگی میں بہتری میں ظاہر ہوتی ہے ، بلکہ عملی انضمام اور نظام کے تعاون میں بھی۔ فوٹو وولٹائکس کے میدان میں ، زینپینگ مائیکرو اے پی 1790 آئیڈیل ڈایڈڈ کنٹرولر الٹرا - کم فارورڈ وولٹیج ڈراپ (روایتی حلوں سے 60 ٪ کم) کو حاصل کرنے کے لئے بیرونی MOSFETs کو کنٹرول کرکے اسکاٹکی خصوصیات کی نقالی کرتا ہے ، اور لیک موجودہ نقطہ نظر اعلی درجہ حرارت اور اعلی دباؤ کے تحت صفر سے ہوتا ہے۔ فوٹو وولٹک آپٹیمائزر میں لاگو ہونے کے بعد ، نظام کی بجلی پیدا کرنے کی کارکردگی میں 8 فیصد اضافہ ہوا اور درجہ حرارت میں اضافے میں 50 فیصد کمی واقع ہوئی ، جس سے اعلی بجلی کی کھپت کے مسائل اور اعلی موجودہ کے تحت روایتی بائی پاس ڈایڈس کی مشکل گرمی کی کھپت کو حل کیا گیا۔

انرجی اسٹوریج سسٹم میں ، تین - جہتی عمودی ڈھانچے کے ڈایڈس کو حقیقی - وقت کے پیرامیٹرز جیسے درجہ حرارت اور وولٹیج کی نگرانی کے لئے ذہین پاور ماڈیول کے ساتھ مربوط کیا جاتا ہے۔ مثال کے طور پر ، سلور سائنٹرنگ ، تانبے کی کلپ ، اور اوپر کی ٹھنڈک کا استعمال کرتے ہوئے ڈی ایف این 8 × 8 پیکیجنگ ٹکنالوجی ڈایڈڈ کی تھرمل مزاحمت کو 0.35K/W تک کم کردیتی ہے ، جنکشن کا درجہ حرارت 25 ڈگری سے کم کرتا ہے ، توانائی کے ذخیرہ انورٹر کو 65 ڈگری کے ذریعہ مکمل بوجھ پر کام کرنے کی اجازت دیتا ہے ، اور ریڈی ریڈر الومینیم کے وزن کو کم کرتا ہے ، اور ریڈی ایٹر ایلومینیم کا وزن کم کرتا ہے۔

4 ، اطلاق کا منظر گہرا: نئی توانائی کی مکمل چین کی کوریج
ڈایڈڈ ٹکنالوجی میں کامیابیاں نئی ​​انرجی انڈسٹری چین کے مختلف لنکس میں گہری مربوط ہیں۔

بجلی کی پیداوار کا اختتام: فوٹو وولٹک انورٹرز میں ، ایس آئی سی ڈایڈس 1500V سسٹم وولٹیج اپ گریڈ کی حمایت کرتا ہے ، جس میں سنگل سٹرنگ اجزاء کی تعداد میں 30 ٪ اضافہ ہوتا ہے اور کیبل کے اخراجات میں 20 ٪ کمی واقع ہوتی ہے۔ ونڈ پاور کنورٹرز میں ، اعلی - فریکوئینسی ایس آئی سی ڈایڈس سوئچنگ فریکوینسی کو 100 کلو ہرٹز میں بڑھاتا ہے اور فلٹرنگ کے اجزاء کے سائز کو 40 ٪ تک کم کرتا ہے۔
انرجی اسٹوریج کا اختتام: ایس آئی سی+گان ہائبرڈ اسکیم کو اپنانے کے بعد ، توانائی کے ذخیرہ کرنے والے انورٹر کی چارجنگ اور ڈسچارجنگ کارکردگی کو بہتر بنایا گیا ہے ، 98.5 فیصد تک ، سائیکل کی زندگی 10000 گنا سے تجاوز کر گئی ہے ، اور فی کلو واٹ گھنٹہ لاگت میں 0.03 یوآن کی کمی واقع ہوئی ہے۔
بجلی کی کھپت: نئی توانائی کی گاڑیوں کے لئے 800V ہائی - وولٹیج پلیٹ فارم کی مقبولیت نے 1200V سے زیادہ ایس آئی سی اسکاٹکی ڈایڈس کی طلب میں اضافہ کیا ہے۔ ٹیسلا ماڈل 3 موٹر کنٹرولر میں ایس آئی سی ڈایڈس کو اپنانے کے بعد ، حد میں 10 ٪ اضافہ کیا جاتا ہے ، وزن میں 5 ٪ کمی واقع ہوتی ہے ، اور چارجنگ کے وقت کو 30 ٪ کم کیا جاتا ہے۔
5 ، صنعتی ماحولیاتی تعمیر نو: چینی کاروباری اداروں کا عروج
گلوبل ڈایڈڈ مارکیٹ "بین الاقوامی جنات اعلی - اختتام پر غلبہ حاصل کرنے کا ایک مسابقتی نمونہ تشکیل دے رہی ہے ، چینی کمپنیاں کامیابیوں کو تیز کررہی ہیں"۔ انفینون ، آنسن ، اور دیگر کمپنیاں اپنے ایس آئی سی مادی تحقیق اور ترقیاتی فوائد کے ساتھ اعلی - اختتامی مارکیٹ پر قابض ہیں ، جبکہ چینی کمپنیاں ، جو پالیسی کی حمایت اور مارکیٹ کی طلب کے ذریعہ کارفرما ہیں ، عمودی انضمام کے ذریعہ ایک مکمل ماحولیاتی سلسلہ تیار کرتی ہیں۔ 2025 تک ، چین میں ایس آئی سی ڈایڈس کا مارکیٹ شیئر 28 فیصد تک پہنچ جائے گا ، اور یانگجی ٹکنالوجی اور سیلن مائکرو الیکٹرانکس جیسی کمپنیاں عالمی سطح پر پہلے پانچ میں داخل ہوں گی۔ سسٹم مینوفیکچررز جیسے SUNAC اور BYD چپ کمپنیوں کے ساتھ دل کی گہرائیوں سے تعاون کریں گے تاکہ 1500V فوٹو وولٹک سسٹم میں گھریلو آلات کی دخول کی شرح کو 60 فیصد سے زیادہ کریں۔